Учёная степень: доктор физико-математических наук
Учёное звание: профессор, академик РАН
Должность на момент присвоения звания: лауреат Нобелевской премии по физике; вице-президент РАН, член НАН Беларуси, ректор Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий РАН
Протокол заседания Совета университета: №4 от 25.04.2011г.
Краткая биография: Вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, лауреат Нобелевской премии, академик, депутат Государственной думы Российской Федерации. Родился в 1930 году в городе Витебске. Учился на факультете электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В.И. Ульянова по совету школьного учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона. После окончания ЛЭТИ был принят на работу в Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе в лабораторию В.М. Тучкевича. При его участии были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. За комплекс проведенных работ в 1959 году Ж.И. Алфёров получил первую правительственную награду. Кандидатскую диссертацию защитил в 1959 году. В 1970 году Жорес Алфёров защитил докторскую диссертацию. В 1972 году стал профессором, а в 1973 году – заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. Кафедра работала в тесном контакте с Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе. В 1988 году Ж.И. Алфёров организовал в Политехническом институте физико-технический факультет. В это же время организован лицей. Следующим шагом стало объединение всех образовательных структур под одной крышей. В 1999 году здание Научно-образовательного центра (НОЦ) вступило в строй. В 1972 году он стал профессором, а через год – заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. В начале 1990-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. Его исследования заложили основы принципиально новой электроники с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия». В 2000 году Жорес Алфёров стал лауреатом Нобелевской премии по физике за разработки в полупроводниковой технике, разделив ее с учеными Г. Крёмером и Д. Килби. Автор более 500 научных работ, 3 монографий и 50 изобретений. Ж.И. Алфёров учредил Фонд поддержки талантливой учащейся молодежи, для содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Ушёл из жизни 1 марта 2019 года.